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PBHV9115T分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

PBHV9115T
廠商型號

PBHV9115T
參數屬性

PBHV9115T 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 150V 1A TO236AB
功能描述

150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
文件大小

124.39 Kbytes
頁面數量

12 頁
生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-28 23:00:00

PBHV9115T規(guī)格書詳情

General description

PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBHV8115T.

Features

■ High voltage

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ AEC-Q101 qualified

Applications

■ LED driver for LED chain module

■ LCD backlighting

■ High Intensity Discharge (HID) front lighting

■ Automotive motor management

■ Hook switch for wired telecom

■ Switch mode power supply

產品屬性

  • 產品編號：

    PBHV9115TLHR

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 100mA，500mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 50mA，10V

  • 頻率 - 躍遷：

    55MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    TRANS PNP 150V 1A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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