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P60N06中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

P60N06
廠商型號(hào)

P60N06

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

347.24 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-12 18:32:00

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P60N06規(guī)格書詳情

■TYPICAL RDS(on) = 0.0172

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■LOW GATE CHARGE

■HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175°C OPERATING TEMPERATURE

■ VERY LOW RDS(on)

■ APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ REGULATORS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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