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SIHD4N80E	文件：335.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on):1.27Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SIHP4N80E	文件：149.5 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Se	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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更多P4N80Z供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-9 9:30:00

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