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P4B60HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P4B60HP2

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

P4B60HP2F

Power MOSFETs 600V, 4A, N-channel

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

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更多P4B60HP2供應(yīng)商 更新時間2025-4-1 10:02:00

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