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P4B60HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

P4B60HP2

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

P4B60HP2F

Power MOSFETs 600V, 4A, N-channel

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝
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更多P4B60HP2供應商 更新時間2024-11-16 14:30:00

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