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P14N65FJD中文資料士蘭微數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

P14N65FJD
廠商型號

P14N65FJD

功能描述

14A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR

文件大小

308.02 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Silan Microelectronics Joint-stock
企業(yè)簡稱

SILAN士蘭微

中文名稱

杭州士蘭微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-4 20:00:00

P14N65FJD規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

SVSP14N65FJD/T/KD2 is an N-channel enhancement mode high

voltage power MOSFETs produced using Silan’s DPMOS technology.

It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the

design engineers to their power converters with high efficiency, high

power density, and superior thermal behavior. Furthermore, it’s

universal applicable, i.e., suitable for hard and soft switching

topologies.

FEATURES

? 14A,650V, RDS(on)(typ.)=0.26?@VGS=10V

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? Extreme dv/dt rated

? High peak current capability

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
23+
NA/
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TO220
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公司只做原裝正品
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