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P126FP10SNK

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=126A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P126FP10SNK

Power MOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

P126FP10SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=126A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.0048Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P126FP10SN

PowerMOSFETs100V,126A,N-channel

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新電元工業(yè)株式會社

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更多P126FP10SNK供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 16:06:00

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