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PMGD290XN

DualN-channelmTrenchMOS?extremelylowlevelFET

1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMR290UNE

20V,700mAN-channelTrenchMOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMR290UNE

20V,700mAN-channelTrenchMOSFET

1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDprotectionupto2kV ?AE

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMR290XN

N-channelmTrenchMOS??extremelylowlevelFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZ290UN

20V,singleN-channelTrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZ290UNE

20V,N-channelTrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZB290UN

20V,singleN-channelTrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZB290UNE

20V,singleN-channelTrenchMOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

PMZB290UNE

20V,singleN-channelTrenchMOSFET

1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFE

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMZB290UNE

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features| VDS=20v| +RDS(ON)=300mQ(typ.)@VGS=2.5V| +RDS(ON)=250mQ(typ.)@VGS=4.5V| +ESDProtectedupto2KV|

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    OP-290

  • 制造商：

    AD

  • 制造商全稱：

    Analog Devices

  • 功能描述：

    PRECISION, LOW POWER, MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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保證原裝正品,需要聯(lián)系張小姐 13544103396 微信同號(hào)
 詢價(jià)
更多OP-290供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-1 18:15:00

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