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NXV65HR82DZ2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXV65HR82DZ2
廠商型號(hào)

NXV65HR82DZ2
參數(shù)屬性

NXV65HR82DZ2 封裝/外殼為16-SSIP ??? ??，?? ??；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊；產(chǎn)品描述：AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
功能描述

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter
AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG
文件大小

734.6 Kbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-17 18:30:00

NXV65HR82DZ2規(guī)格書詳情

NXV65HR82DZ2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXV65HR82DZ2功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NXV65HR82DZ2

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    托盤

  • 類型：

    MOSFET

  • 配置：

    H 橋

  • 電壓 - 隔離：

    5000Vrms

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    16-SSIP ??? ??，?? ??

  • 描述：

    AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
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