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NXV04V120DB1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NXV04V120DB1 |
| 參數(shù)屬性 | NXV04V120DB1 封裝/外殼為19-PowerDIP 模塊（1.480"，37.60mm）；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊；產(chǎn)品描述：3-PHASE INVERTER AUTOMOTI |
| 功能描述 | Three Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module |
| 文件大小 |
540.08 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-17 19:00:00 |
NXV04V120DB1規(guī)格書詳情
NXV04V120DB1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXV04V120DB1功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NXV04V120DB1
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊
- 包裝：
托盤
- 類型：
MOSFET
- 配置：
三相反相器
- 電壓 - 隔離：
2500Vrms
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
19-PowerDIP 模塊（1.480"，37.60mm）
- 描述：
3-PHASE INVERTER AUTOMOTI
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
APM-19 |
28650 |
原廠原裝,正品現(xiàn)貨,支持訂貨!!! |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
APM19CBC |
6000 |
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+ |
NA |
30000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
23+/24+ |
原廠封裝 |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
24+ |
17-PowerDIP 模塊(1.390 35.30 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
onsemi |
22+ |
19-PowerDIP |
12000 |
只做原裝,全新原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
