NXH350N100H4Q2F2P1G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):NXH350N100H4Q2F2P1G品牌:onsemi

資料說明:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

NXH350N100H4Q2F2P1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝模塊的NXH350N100H4Q2F2P1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    nxh350n100h4q2f2p1g

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NXH350N100H4Q2F2P1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三級(jí)反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,375A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    42-PIM/Q2PACK(93x47)

  • 描述:

    IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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