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NX6353EP33中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
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廠商型號 |
NX6353EP33 |
功能描述 | LASER DIODE |
文件大小 |
814.73 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-1 11:44:00 |
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NX6353EP33規(guī)格書詳情
1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION
DESCRIPTION
The NX6353EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple
Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode
with InGaAs monitor PIN-PD.
APPLICATIONS
? 9.8 Gbps CPRI
? 10G Ethernet
FEATURES
? Optical output power PO = 8.5 mW
? Low threshold current Ith = 7 mA
? Differential efficiency ηd = 0.35 W/A
? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C
? InGaAs monitor PIN-PD
? CAN package φ 5.6 mm
? Focal point 6.2 mm
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXIAD |
1822+ |
QFP |
6852 |
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Renesas |
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09+PBF |
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21+ |
CAN4 |
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