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NX6353EP33中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NX6353EP33
廠商型號

NX6353EP33

功能描述

LASER DIODE

文件大小

814.73 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 11:44:00

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NX6353EP33規(guī)格書詳情

1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION

DESCRIPTION

The NX6353EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple

Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode

with InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

? 9.8 Gbps CPRI

? 10G Ethernet

FEATURES

? Optical output power PO = 8.5 mW

? Low threshold current Ith = 7 mA

? Differential efficiency ηd = 0.35 W/A

? Wide operating temperature range TC = ?40 to +85°C

? InGaAs monitor PIN-PD

? CAN package φ 5.6 mm

? Focal point 6.2 mm

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