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NX3008NBKT	文件：1.15579 Mbytes Page：17 Pages	30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKT	文件：874.28 Kbytes Page：16 Pages	30 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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NX3008NBKV	文件：874.8 Kbytes Page：17 Pages	30V,400mAdualN-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NX3008NBKV	文件：252.14 Kbytes Page：14 Pages	30V,400mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatlead SOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtech	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKW	文件：1.60431 Mbytes Page：16 Pages	30V,350mAN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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NX3008PBK	文件：1.60734 Mbytes Page：16 Pages	30V,230mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBK	文件：494.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NX3008PBKMB	文件：1.05893 Mbytes Page：15 Pages	30V,singleP-channelTrenchMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
NX3008PBKMB	文件：1.65853 Mbytes Page：15 Pages	30V,singleP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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NX3008PBKS	文件：1.62533 Mbytes Page：17 Pages	30V,200mAdualP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription DualP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363 (SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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NX3008PBKW	文件：883.92 Kbytes Page：16 Pages	30V,200mAP-channelTrenchMOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
NX3008PBKW	文件：1.60624 Mbytes Page：16 Pages	30V,200mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits ?Veryfastswitching ?Lowthresholdvoltage ?TrenchMOSFETtechnology ?ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

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詳細參數(shù)

型號：
NX3008NBKT
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET N CH 30V 350MA SOT416
功能描述：
MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416
功能描述：
MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416, Transistor
Polarity：
N Channel, Continuous Drai

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	NX3008NBKT	NXP(恩智浦)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	67048	全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	NX3008NBKT	NEXP	24+	SOT523	45000	熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨	詢價
深圳誠思涵科技有限公司	NX3008NBKT	NXP	16+	SOT523	11900	進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	NX3008NBKT	NEXP	2020+PB	SOT523	11900	原裝正品可含稅交易	詢價
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更多NX3008NBKT供應(yīng)商更新時間2024-12-24 15:08:00

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