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NVTYS013N10MCLTWG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVTYS013N10MCLTWG
廠商型號

NVTYS013N10MCLTWG

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 13.6 m, 52 A

絲印標(biāo)識

TBD

封裝外殼

LFPAK8

文件大小

307.73 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 11:13:00

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NVTYS013N10MCLTWG規(guī)格書詳情

Features

? Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low Capacitance to Minimize Driver Losses

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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