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NVMYS9D3N06CLTWG中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVMYS9D3N06CLTWG
廠商型號

NVMYS9D3N06CLTWG

功能描述

MOSFET – Power, Single N-Channel 60 V, 9.2 m, 50 A

文件大小

339.24 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

NVMYS9D3N06CLTWG規(guī)格書詳情

Features

? Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

? Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

? LFPAK4 Package, Industry Standard

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

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