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NVHL080N120SC1	文件：363.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1	文件：377.47 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1_V01	文件：363.6 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1A	文件：297 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：387.67 Kbytes Page：3 Pages	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·LowEffectiveOutputCapacitance ·UltraLowGateCharge APPLICATIONS ·MainInverters ·GeneralPurposeInverters ·DC/DCConverter ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTBG080N120SC1	文件：321.69 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：240.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L1200V,80m,30A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTC080N120SC1	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??N??hannel,SiliconCarbide1200V,80m	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1	文件：365.42 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications ?U	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1	文件：374.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel1200V,80m,31A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1A	文件：288.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel1200V,80m,31A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1A	文件：363.09 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications ?U	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1D	文件：374.19 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel1200V,80m,31A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVBG080N120SC1	文件：323.41 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features ?Typ.RDS(on)=80m ?UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVBG080N120SC1	文件：242.3 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVC080N120SC1	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??N??hannel,SiliconCarbide1200V,80m Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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