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NVD5890NT4G

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?MSL1/260°C ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrivers ?PumpDriversforAutomotiveBraking,SteeringandOther

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5890NT4G

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5890NT4G-VF01

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N??hannel DPAK

Features ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?MSL1/260°C ?AECQ101QualifiedandPPAPCapable ?100AvalancheTested ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications ?MotorDrivers ?PumpDriversforAutomotiveBraking,SteeringandOther

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5890NT4G-VF01

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè) 描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NVD5890NT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON
12+
TO-252
15000
全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
詢價(jià)
ON
11+
2358
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
ON
1706+
?
7500
只做原裝進(jìn)口,假一罰十
詢價(jià)
ON
23+
TO-252
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
ON/安森美
20+
TO-252
63258
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
AP
23+
TO-220
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
詢價(jià)
ON
24+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON(安森美)
6000
詢價(jià)
ON/安森美
2022+
TO-252
50000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
詢價(jià)
更多NVD5890NT4G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-24 11:04:00