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NVD5807N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NVD5807N

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N??hannel, DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5807NT4G

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N??hannel, DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PAFE5807ZCF

FullyIntegrated,8-ChannelUltrasoundAnalogFrontEndwithPassiveCWMixer,1.05nV/rtHz,12-Bit,80MSPS,117mW/CH

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807A

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807A

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807ARGCR

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807ARGCR

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807ARGCT

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807ARGCT

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807RGCR

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

PGA5807RGCT

8-Channel,High-Bandwidth,AnalogFront-End

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

RDA5807

SINGLE-CHIPBROADCASTFMRADIOTUNER

1.1Features ?CMOSsingle-chipfully-integratedFMtuner ?Lowpowerconsumption ?Totalcurrentconsumptionlowerthan20mAat3.0V powersupplywhenundernormalsituation ?Supportworldwidefrequencyband ?50-115MHz ?Supportflexiblechannelspacingmode ?100KHz,200KHz,50KHzan

RDARDA Microelectronics

銳迪科微電子銳迪科微電子（上海）有限公司

RDA5807

RDA5807SINGLE-CHIPFMRECEIVERMODULE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

RDA5807M

SINGLE-CHIPBROADCASTFMRADIOTUNER

1.1Features ?CMOSsingle-chipfully-integratedFMtuner ?Lowpowerconsumption ?Totalcurrentconsumptionlowerthan20mAat3.0V powersupplywhenundernormalsituation ?Supportworldwidefrequencyband ?50-115MHz ?Supportflexiblechannelspacingmode ?100KHz,200KHz,50KHzan

RDARDA Microelectronics

銳迪科微電子銳迪科微電子（上海）有限公司

RDA5807P

RDA5807SINGLE-CHIPFMRECEIVERMODULE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

SDR5807CT

12AMPS50-300VOLTS35nsecHYPERFASTCENTERTAPRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SM5807

4FOLDOVERSAMPLINGDIGITALFILTERFORDIGITALAUDIO

4FOLDOVERSAMPLINGDIGITALFILTERFORDIGITALAUDIO

NPC

Nippon Precision Circuits Inc

SM5807DP

4FOLDOVERSAMPLINGDIGITALFILTERFORDIGITALAUDIO

4FOLDOVERSAMPLINGDIGITALFILTERFORDIGITALAUDIO

NPC

Nippon Precision Circuits Inc

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NVD5807N

  • 功能描述：

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
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TO-252
28600
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納立只做原裝正品13590203865
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DPAK
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ON Semiconductor
2010+
N/A
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更多NVD5807N供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 14:08:00

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