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NVD360N65S3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

NVD360N65S3
廠商型號(hào)

NVD360N65S3
參數(shù)屬性

NVD360N65S3 包裝為剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 600V DPAK
功能描述

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 360 m, 10 A
MOSFET N-CH 600V DPAK
文件大小

319.68 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 23:00:00

NVD360N65S3規(guī)格書詳情

NVD360N65S3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NVD360N65S3晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

Features

? Ultra Low Gate Charge & Low Effective Output Capacitance

? Lower FOM (RDS(on) max. x Qg typ. & RDS(on) max. x EOSS)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NVD360N65S3

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    剪切帶（CT）

  • 描述：

    MOSFET N-CH 600V DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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