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NTP30N20G	文件：164 Kbytes Page：7 Pages	N??hannel Enhancement??ode TO??20 N?ChannelEnhancement?ModeTO?220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement?Mode TO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
30N20	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
30N20	文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
30N20G	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancement?ModeTO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
A30N20MP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團	PENTAIR
A30N20MPP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 濱特爾濱特爾集團	PENTAIR
A30N20MPP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
DAM30N20D	文件：233.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAME30N20H	文件：250.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FTW30N20A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
MSAER30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFR30N20A	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTE30N20FP	文件：446.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTH30N20	文件：293.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTB30N20	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB30N20	文件：85.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN??hannelEnhancement??odeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTB30N20G	文件：73.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：354.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancement?ModeTO-220 Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvailable Applications ?PWMMotorControls ?PowerSupplies ?Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTP30N20	文件：88.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,200Volts N?ChannelEnhancement?ModeTO?220 30AMPERES200VOLTS68m@VGS=10V(Typ) Features ?Source?to?DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode ?AvalancheEnergySpecified ?IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature ?Pb?FreePackageisAvail	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
NTP30N20G
功能描述：
MOSFET 200V 30A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市艾宇特電子科技有限公司	NTP30N20G	ON/安森美	21+	TO220	9852	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	NTP30N20G	ON/安森美	21+	TO220	9852	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	NTP30N20G	ON	24+	TO-2203LEADSTANDA	8866		詢價
深圳市海天鴻電子科技有限公司	NTP30N20G	ON	1728+	?	7500	只做原裝進口,假一罰十	詢價
深圳市華來深電子有限公司	NTP30N20G	ON	23+	TO-220-3	11846	一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市近平電子有限公司	NTP30N20G	ON	6000	面議	19	DIP/SMD	詢價
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更多NTP30N20G供應(yīng)商更新時間2024-11-5 18:09:00

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