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NTHL160N120SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-3L

Features ?Typ.RDS(on)=160m ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=50pF) ?100UILTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications ?UPS ?DC?

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTBG160N120SC1_V02

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,160mohm,1200V,M1,D2PAK-7L

Features ?Typ.RDS(on)=160m ?UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=33.8nC) ?LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=50.7pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelinterconnection)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NTHL160N120SC1_V02供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 8:14:00

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