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NTH4L025N065SC1

Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) ?LowCapacitance(Coss=278pF) ?100AvalancheTested ?TJ=175°C ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(onsecondlevelin

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多NTH4L025N065SC1供應(yīng)商 更新時間2024-11-28 16:20:00

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