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NTD2955G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P??hannelDPAK PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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NTD2955G	文件：987.84 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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NTF2955	文件：562.52 Kbytes Page：7 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features VDS(V)=-60V ID=-7A(VGS=-10V) ID=-6A(VGS=-4.5V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
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NTP2955	文件：147.29 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,SingleP??hannel,TO??20 PowerMOSFET ?60V,?12A,SingleP?Channel,TO?220 Features ?LowRDS(on) ?RuggedPerformance ?FastSwitching ?ThesearePb?FreeDevices* Applications ?Industrial ?Automotive ?PowerSupplies	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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