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NT2955G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0 V, ??2 A, P??hannel DPAK PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NT2955G	文件：119.07 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NT2955G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P??hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NT2955G	文件：985.52 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NT2955G	文件：64.879 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NT2955G	文件：88.01 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTD2955	文件：388.34 Kbytes Page：6 Pages	-60VP-ChannelMOSFET Features AvalancheEnergySpecified IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature DesignedforLow?Voltage,High?SpeedSwitchingApplicationsand toWithstandHighEnergyintheAvalancheandCommutationModes RDS(on)150m?(VGS=-10V) VDS(V)=-60V ID=-12A(VGS=-10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
NTD2955	文件：260.2 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NTD2955	文件：747.7 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
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NTD2955G	文件：987.84 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100UISTested APPLICATIONS ?LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NTD2955P	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P??hannelDPAK PowerMOSFET?60V,?12A,P?ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow?voltage,high?speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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更多NT2955供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-2 22:59:00

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