NSVMMBT6429LT1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
NSVMMBT6429LT1G
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ONSEMI
庫存數(shù)量：
10000
產(chǎn)品封裝：
N/A
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-1-25 15:50:00

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原廠料號：NSVMMBT6429LT1G品牌：ONSEMI

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NSVMMBT6429LT1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商ONSEMI/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NSVMMBT6429LT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號：
NSVMMBT6429LT1G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
5 頁
文件大小：
191.72 kb
資料說明：
Amplifier Transistors

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
NSVMMBT6429LT1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 100μA，5V
頻率 - 躍遷：
700MHz
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3

供應商

企業(yè)：
深圳市華康聯(lián)電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
高先生
手機：
15112166916
詢價：
電話：
0755-82549426
傳真：
0755-82951490
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場3210B

NSVMMBT6429LT1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 ONSEMI/安森美半導體

NSVMMBT6429LT1G

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