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NSVF6001SB6T1G

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NSVF6001SB6T1G

包裝:托盤 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NSVF6001SB6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    6.7GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益:

    11dB

  • 功率 - 最大值:

    800mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

  • 供應商器件封裝:

    6-CPH

  • 描述:

    RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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