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NSV60601MZ4T1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導體

NSV60601MZ4T1G參考圖片

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  • 廠家型號:

    NSV60601MZ4T1G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導體

  • 庫存數(shù)量:

    58550

  • 產(chǎn)品封裝:

    SOT223

  • 生產(chǎn)批號:

    20+21+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間:

    2024-12-24 13:00:00

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原廠料號:NSV60601MZ4T1G品牌:ON/安森美

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NSV60601MZ4T1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝SOT223/TO-261-4,TO-261AA的NSV60601MZ4T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

  • 芯片型號:

    NSV60601MZ4T1G

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    114.56 kb

  • 資料說明:

    NPN Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    NSV60601MZ4T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 600mA,6A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 6A SOT223

供應商

  • 企業(yè):

    深圳市金睿揚電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    陳先生

  • 手機:

    15738879683

  • 詢價:
  • 電話:

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  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟6層A-D軸與17-20G39,