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NSS30201MR6T1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

NSS30201MR6T1G
廠商型號

NSS30201MR6T1G

參數(shù)屬性

NSS30201MR6T1G 封裝/外殼為SOT-23-6 細型,TSOT-23-6;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 2A 6TSOP

功能描述

High Efficiency DC-DC Converters
TRANS NPN 30V 2A 6TSOP

封裝外殼

SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

文件大小

1.9268 Mbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 8:12:00

NSS30201MR6T1G規(guī)格書詳情

NSS30201MR6T1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NSS30201MR6T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NSS30201MR6T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    75mV @ 1mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 500mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6 細型,TSOT-23-6

  • 供應商器件封裝:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 2A 6TSOP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
SOT-23-6
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
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ON/安森美
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SOT23-6
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