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NP82N055NHE-S18-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP82N055NHE-S18-AY
廠商型號(hào)

NP82N055NHE-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

421.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 23:01:00

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NP82N055NHE-S18-AY規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES

? Channel temperature 175 degree rated

? Super low on-state resistance

RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

? Low input capacitance

Ciss = 3500 pF TYP.

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP82N055NHE-S18-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
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