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NP82N04MLG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP82N04MLG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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NP82N04MLG

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP82N04MUG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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NP82N04MUG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Nonlogiclevel ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) ?Highcurrentrating ID(DC)=±82A ?Lowi

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NP82N04NDG

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NP82N04MLG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH TO-220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
 詢價
NEC
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
NEC
23+
TO-220
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
TO-220
89630
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
NEC
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-220
12500
瑞薩全系列在售,終端可出樣品
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-220
9000
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
 詢價
VB
21+
TO220
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
TO2203
7350
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
 詢價
24+
N/A
69000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
 詢價
更多NP82N04MLG供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 14:30:00

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