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NP75P03YDG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NP75P03YDG
廠商型號(hào)

NP75P03YDG

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

233.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 15:00:00

NP75P03YDG規(guī)格書詳情

Description

The NP75P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 6.2 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?37.5 A)

? Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP. (VDS = ?25 V, VGS = 0 V)

? Logic level drive type

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

? Small size package 8-pin HSON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Renesas Electronics America
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