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NP50P03YDG-E2-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NP50P03YDG-E2-AY
廠商型號

NP50P03YDG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

238.04 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-5 23:00:00

NP50P03YDG-E2-AY規(guī)格書詳情

Description

The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

? Low on-state resistance

? RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?25 A)

? Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = ?25 V, VGS = 0 V)

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

? Small size package 8-pin HSON

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NP50P03YDG-E2-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
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