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NIMD6302R2

HDPlus Dual N-Channe Self-protected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

HDPlusdevicesareanadvancedHDTMOS?seriesofpowerMOSFETwhichutilizeON’slatestMOSFETtechnologyprocesstoachievethelowestpossibleon–resistancepersiliconareawhileincorporatingsmartfeatures.Theyarecapableofwithstandinghighenergyintheavalancheandcommutationmodes.T

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NIMD6302R2

HDPlus Dual N??hannel Self??rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NIMD6302R2_06

HDPlus Dual N??hannel Self??rotected Field Effect Transistors with 1:200 Current Mirror FET

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    NIMD6302R2

  • 功能描述:

    MOSFET NFET S08D 30V .050R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NIMD6302R2供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 9:16:00