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NID9N05CLT4

Power MOSFET

PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NID9N05CLT4

Power MOSFET

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NID9N05CLT4

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

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NID9N05CLT4G

9.0 A, 52 V, N??hannel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package

PowerMOSFET 9.0A,52V,N?Channel,LogicLevel,ClampedMOSFETw/ESDProtectioninaDPAKPackage Benefits ?HighEnergyCapabilityforInductiveLoads ?LowSwitchingNoiseGeneration Features ?DiodeClampBetweenGateandSource ?ESDProtection?HBM5000V ?ActiveOver?VoltageGate

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NID9N05CLT4G

Power MOSFET

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NID9N05CLT4G

包裝：管件 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：集成電路（IC） 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NID9N05CLT4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開關(guān)，負(fù)載驅(qū)動器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 開關(guān)類型：

    繼電器，螺線管驅(qū)動器

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    52V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    9A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    90 毫歐

  • 輸入類型：

    非反相

  • 故障保護(hù)：

    過壓

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
12500
只做原廠渠道 可追溯貨源
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ON/安森美
2024
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505348
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應(yīng)商
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TO-252
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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面議
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DIP/SMD
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ONSemiconductor
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更多NID9N05CLT4供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 11:04:00

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