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NHDTA114ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

NHDTA114ET
廠商型號

NHDTA114ET
參數(shù)屬性

NHDTA114ET 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB
功能描述

80 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors
文件大小

297.97 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-26 23:00:00

NHDTA114ET規(guī)格書詳情

Features and benefits

? 100 mA output current capability

? High breakdown voltage

? Built-in resistors

? Simplifies circuit design

? Reduces component count

? Reduces pick and place costs

? AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NHDTA114ETVL

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    100mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-236AB

  • 描述：

    NHDTA114ET/SOT23/TO-236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Nexperia(安世)
23+
SOT23(TO236)
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