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NGTG30N60FWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NGTG30N60FWG |
| 參數(shù)屬性 | NGTG30N60FWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 60A 167W TO247 |
| 功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) |
| 文件大小 |
175.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-10-25 18:18:00 |
NGTG30N60FWG規(guī)格書詳情
NGTG30N60FWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTG30N60FWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NGTG30N60FWG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.7V @ 15V，30A
- 開關(guān)能量：
650μJ（開），650μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
81ns/190ns
- 測試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 167W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2023 |
5000 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單 |
詢價(jià) | |||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-247 |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
8080 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
PTIF |
2023+ |
80000 |
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
18+ |
NA |
2790 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
TO-247 |
90000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |
