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NGTB40N120IHLWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NGTB40N120IHLWG
廠商型號(hào)

NGTB40N120IHLWG
參數(shù)屬性

NGTB40N120IHLWG 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 40A TO247
功能描述

IGBT
IGBT 1200V 40A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

162.44 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-13 18:30:00

NGTB40N120IHLWG規(guī)格書(shū)詳情

NGTB40N120IHLWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB40N120IHLWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB40N120IHLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.35V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.4mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/360ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO2473
6000
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán)
 詢價(jià)
ON/安森美
NA
7725
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
 詢價(jià)
ON/安森美
21+
TO-247
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
ON
22+
TO-247
8650
原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!13246658303
 詢價(jià)
ON
21+
NA
3000
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON/安森美
21+
TO-247
8080
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-247
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
 詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-247
8080
原裝正品 支持實(shí)單
 詢價(jià)
ON/安森美
22+
N/A
7725
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
 詢價(jià)
ON/安森美
21+
TO-247
8080
只做原裝,質(zhì)量保證
 詢價(jià)

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