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NGTB40N120FLWG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：NGTB40N120FLWG品牌：onsemi

資料說明：IGBT 1200V 40A TO247

NGTB40N120FLWG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的NGTB40N120FLWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ngtb40n120flwg

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 40A TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB40N120FLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    2.6mJ（開），1.6mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    130ns/385ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 40A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
7348
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價(jià)
ONSemiconductor
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢價(jià)
ON
1725+
TO-247
6528
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!假一賠十!
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ON/安森美
2048+
TO247
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只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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ON/安森美
21+
TO3P
19000
只做正品原裝現(xiàn)貨
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