NGTB30N120L2WG 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠料號(hào)：NGTB30N120L2WG品牌：ON

16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量

NGTB30N120L2WG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝的NGTB30N120L2WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

• 芯片型號(hào)：

  NGTB30N120L2WG

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導(dǎo)體公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  7 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  105.94 kb

• 資料說(shuō)明：

  IGBT - Field Stop II