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NGTB03N60R2DT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ON/安森美

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  • 廠家型號：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫存數(shù)量：

    8900

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-10-27 15:20:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：NGTB03N60R2DT4G品牌：ON

英瑞芯只做原裝正品!!!

  • 芯片型號：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    598.12 kb

  • 資料說明：

    IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGTB03N60R2DT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    50μJ（開），27μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    27ns/59ns

  • 測試條件：

    300V，3A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 9A 600V DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市英瑞芯科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13714649767

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88606580

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中12層A4-2M

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