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NGD15N41CLT4G_ONSEMI/安森美半導體_IGBT 晶體管 15A 410V Ignition匯萊威一部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NGD15N41CLT4G
- 功能描述:
IGBT 晶體管 15A 410V Ignition
- RoHS:
否
- 制造商:
Fairchild Semiconductor
- 配置:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
650 V
- 集電極—射極飽和電壓:
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
150 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
187 W
- 封裝/箱體:
TO-247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市匯萊威科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機:
18126328660
- 詢價:
- 電話:
0755-82767689
- 地址:
深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503
相近型號
- NGB8207NT4G
- NGD8201AG
- NGB8207N
- NGD8201ANT4G
- NGB8207BNT4G
- NGD8201N
- NGB8207ANT4G
- NGD8201NG
- NGB8207ABNT4G
- NGD8201NT4
- NGB8206NT4G
- NGD8201NT4G
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- NGB8206N
- NGD8205N
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