首頁>NGB8207NT4G>芯片詳情

NGB8207NT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGB8207NT4G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NGB8207NT4G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON Semiconductor

  • 庫存數(shù)量：

    8000

  • 產(chǎn)品封裝：

    D2PAK

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-2-22 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGB8207NT4G品牌：ON Semiconductor

只做原裝現(xiàn)貨

NGB8207NT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON Semiconductor/onsemi生產(chǎn)封裝D2PAK/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8207NT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGB8207NT4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大小：

    132.09 kb

  • 資料說明：

    Ignition IGBT 20 A, 365 V, N.Channel D2PAK

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGB8207NT4G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 4V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 365V 20A 165W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    趙妍

  • 手機(jī)：

    18100277303

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23991454

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17E

相近型號