首頁>NGB8206NG>詳情

NGB8206NG 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGB8206NG參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGB8206NG品牌：ON Semiconductor

全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷

NGB8206NG是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON Semiconductor/onsemi生產封裝D2PAK/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8206NG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGB8206NG

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內容頁數：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    130.3 kb

  • 資料說明：

    Ignition IGBT 20 A, 350 V, N.Channel D2PAK

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    NGB8206NG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    -/5μs

  • 測試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 390V 20A 150W D2PAK

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機：

    13682380609

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強賽格電子市場69樓6904B-6905A室

相近型號