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NGB8202NT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：NGB8202NT4品牌：onsemi

資料說明：IGBT 440V 20A 150W D2PAK

NGB8202NT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8202NT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    ngb8202nt4

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 440V 20A 150W D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGB8202NT4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 440V 20A 150W D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
17+
D2PAK3LEAD
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ON
23+
D2PAK3LEAD
8136
全新原裝
 詢價
ON
24+
TO-263
10000
詢價
ON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ON
6000
面議
19
SOT-263
 詢價
ON
2023+
D2PAK3LE
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
JINGDAO/晶導(dǎo)微
23+
SMB
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
ON/安森美
23+
SOT-263
24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
ON
1709+
SOT-263
32500
普通
 詢價
ON/安森美
21+
SOT-263
30000
優(yōu)勢供應(yīng) 實單必成 可13點增值稅
 詢價

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