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NFAM2065L4BT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NFAM2065L4BT
廠商型號(hào)

NFAM2065L4BT

參數(shù)屬性

NFAM2065L4BT 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),30 引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:3 PHASE INVERTER IPM

功能描述

Intelligent Power Module (IPM) 650 V, 20 A
3 PHASE INVERTER IPM

封裝外殼

39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),30 引線

文件大小

285.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 20:00:00

NFAM2065L4BT規(guī)格書(shū)詳情

NFAM2065L4BT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NFAM2065L4BT功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NFAM2065L4BT

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 類型:

    IGBT

  • 配置:

    3 相

  • 電壓 - 隔離:

    2500Vrms

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    39-PowerDIP 模塊(1.413",35.90mm),30 引線

  • 描述:

    3 PHASE INVERTER IPM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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