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NFAM1012L5BT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NFAM1012L5BT |
| 參數(shù)屬性 | NFAM1012L5BT 封裝/外殼為39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊；產(chǎn)品描述：INTELLIGENT POWER MODULE, SPM31, |
| 功能描述 | Intelligent Power Module (IPM) 1200 V, 10 A |
| 封裝外殼 | 39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線 |
| 文件大小 |
346.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-4 18:30:00 |
NFAM1012L5BT規(guī)格書詳情
NFAM1012L5BT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NFAM1012L5BT功率驅(qū)動器模塊功率驅(qū)動器模塊為電源組件（通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET）提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上，后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度，并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NFAM1012L5BT
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動器模塊
- 包裝：
卷帶（TR）
- 類型：
IGBT
- 配置：
三相反相器
- 電壓 - 隔離：
2500Vrms
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
39-PowerDIP 模塊（1.413"，35.90mm），30 引線
- 描述：
INTELLIGENT POWER MODULE, SPM31,
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
DIP39 |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
ON |
20+ |
IPM |
80 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
ON |
22+ |
NA |
30000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
DIP-39 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
8000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
39-PowerDIP |
12000 |
只做原裝,全新原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
2112+ |
39-PowerDIP |
115000 |
90個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期 |
詢價 |
