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NESG2107M33-T3-A分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NESG2107M33-T3-A
廠商型號

NESG2107M33-T3-A

參數屬性

NESG2107M33-T3-A 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

功能描述

NECs NPN SILICON TRANSISTOR
RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

封裝外殼

3-SMD,扁平引線

文件大小

302.97 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-7 20:00:00

NESG2107M33-T3-A規(guī)格書詳情

NESG2107M33-T3-A屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NESG2107M33-T3-A晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NESG2107M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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