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NE97833

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE97833PNPsilicontransistorisdesignedforultrahighspeedcurrentmodeswitchingapplicationsandmicrowaveamplifiersupto3.5GHz.TheNE97833offersexcellentperformanceandreliabilityatlowcost. FEATURES ?HIGHGAINBANDWIDTHPRODUCT:fT=5.5GHzTYP ?HIGHSPEED

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE97833

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE97833-T1

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE97833PNPsilicontransistorisdesignedforultrahighspeedcurrentmodeswitchingapplicationsandmicrowaveamplifiersupto3.5GHz.TheNE97833offersexcellentperformanceandreliabilityatlowcost. FEATURES ?HIGHGAINBANDWIDTHPRODUCT:fT=5.5GHzTYP ?HIGHSPEED

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE97833-T1B-A

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NE97833-A

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

CEL

California Eastern Labs

詳細參數

  • 型號:

    NE97833

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE97833供應商 更新時間2025-3-17 17:14:00