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NE8500295-4

2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE8500295powerGaAsFETcovers3.5to8.5GHzfrequencyrangewiththreedifferentClassA,2.0Wpartiallymatcheddevices.Eachpackageddevicehasaninputlumpedelementmatchingnetwork. NE8500200isthesix-cellsrecessedgatechipusedin‘95’package. Thedeviceincorpo

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE8500295-4

GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE8500295powerGaAsFETcovers3.5to8.5GHzfrequencyrangewiththreedifferentClassA,2.0W partiallymatcheddevices.Eachpackageddevicehasaninputlumpedelementmatchingnetwork. NE8500200isthesix-cellsrecessedgatechipusedin‘95’package. Thedeviceincorp

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE8500295-4

2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE8500295-4

2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE8500295-4

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NE8500295-4供應商 更新時間2024-11-17 15:16:00

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