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NE8500199中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE8500199
廠商型號

NE8500199

功能描述

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

文件大小

41.14 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 15:16:00

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NE8500199規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.

The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? Class A operation

? High power output

? High reliability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE8500199

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 1W C Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
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8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
NEC
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