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NE71300N中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE71300N
廠商型號

NE71300N

功能描述

LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

文件大小

91.26 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-29 22:59:00

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NE71300N規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE71300 features a low noise figure and high associated gain through K-band by employing a recessed 0.3 micron gate and triple epitaxial technology. The active area of the chip is covered with Si02 and Si3N4 for scratch protection as well as surface stability. This device is suitable for both amplifier and oscillator applications in the consumer and industrial markets.

FEATURES

? LOW NOISE FIGURE

NF = 1.6 dB TYP at f = 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN

GA = 9.5 dB TYP at f = 12 GHz

? LG = 0.3 μm, WG = 280 μm

? EPITAXIAL TECHNOLOGY

? LOW PHASE NOISE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE71300N

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
24+
NA/
1950
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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NEC
24+
SOT-343
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NEC
91+
N/A
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37
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NEC
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NEC
1535+
338
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